S-приборы - определение. Что такое S-приборы
Diclib.com
Словарь ChatGPT
Введите слово или словосочетание на любом языке 👆
Язык:

Перевод и анализ слов искусственным интеллектом ChatGPT

На этой странице Вы можете получить подробный анализ слова или словосочетания, произведенный с помощью лучшей на сегодняшний день технологии искусственного интеллекта:

  • как употребляется слово
  • частота употребления
  • используется оно чаще в устной или письменной речи
  • варианты перевода слова
  • примеры употребления (несколько фраз с переводом)
  • этимология

Что (кто) такое S-приборы - определение

  • ВАХ]]. N‑образная (слева) и S‑образная (справа) кривые

S-приборы         

полупроводниковые приборы, действие которых основано на S-oбразной вольтамперной характеристике, на которой есть один (АВ) или несколько участков с отрицательным сопротивлением (См. Отрицательное сопротивление) (см. рис.). У полупроводниковых приборов существует 2 типа нелинейных вольтамперных характеристик. Один из них характеризуется N-oбразной формой (см. Туннельный диод, Ганна диод), другой - S-oбразной. S-п. реализуются различными способами. Первым S-п. был кристадин. К S-п. относятся четырёхслойные структуры, в которых чередуются слои полупроводника с проводимостями n- и р-типов (тетристор). Четырёхслойная структура содержит три р - n-перехода (см. Электронно-дырочный переход). Рабочий диапазон токов и напряжений тетристоров колеблется от единиц до десятков и сотен а и от десятков до нескольких сотен в и выше. Др. распространённым S-п. является двухбазовый диод (однопереходный транзистор), у которого имеются 3 электрода и 2 цепи - эмиттерная и межбазовая. При наличии тока в межбазовой цепи в эмиттерной цепи возникает S-xapakтеристика. S-xapakтеристику имеют также при определённых условиях лавинные Транзисторы, Ганна диоды и лавинно-инжекционные полупроводниковые диоды (См. Полупроводниковый диод).

Наибольшее практическое применение получили четырёхслойные структуры; они используются в электротехнической промышленности, в силовой и преобразовательной технике (где они вытеснили громоздкие и ненадёжные Тиратроны) и в электронике. Широкое распространение получил и двухбазовый диод, на основе которого создаются релаксационные генераторы (См. Релаксационный генератор) и линии задержки. В перспективе - использование четырёхслойных структур и однопереходных транзисторов в микроэлектронике.

Вводя в полупроводник примеси, создающие глубоколежащие энергетические уровни в запрещенной зоне, значительно повышают его сопротивление. При протекании тока первоначальное низкое сопротивление восстанавливается (компенсируется), причём часто повышение проводимости полупроводника сопровождается понижением падения напряжения на нём в то время, как ток растет. Это и обусловливает S-oбразную вольтамперную характеристику. Известны S-п. на компенсированных Si, Ge, GaAs и др. материалах. В большинстве случаев переход от высокого сопротивления к низкому сопровождается шнурованием тока, т. е. уменьшением поперечного сечения токового канала. Шнурование тока имеет место (в пренебрежении собственными магнитными полями тока) только в S-п. Например, в S-диодах из Si, компенсированного кадмием, удалось наблюдать скачкообразное уменьшение диаметра сечения токового канала от 400 мкм до 80-100 мкм. Шнурование тока наблюдается в компенсированном Ge, четырёхслойных структурах и т. д. С увеличением тока шнур расширяется так, что плотность тока в нём остаётся постоянной. При этом шнур может занять всю площадь контакта, как бы велика она ни была. Шнур может перемещаться как целое (например, в магнитном поле), не меняя величины поперечного сечения. Обе особенности указывают на возможности практического использования S-п. для создания коммутаторов и переключателей тока высокой надёжности.

S-п. имеют по крайней мере 2 устойчивых состояния. Это позволяет создавать на их основе нейристоры, представляющие собой электронную модель окончания нервной клетки - Аксона. В S-п., созданных на основе компенсированного CaAs, наблюдается свечение при переходе прибора из высокоомного состояния в низкоомное. Т. е., S-п. может быть управляемым источником света.

Находят применение также тетристоры. Возможно управление тетристорами при помощи падающего на них пучка света.

Лит.: Лосев О. В., Детектор-генератор, детектор-усилитель, "Телефония и телеграфия без проводов", 1922, № 14; Гаряинов С. А., Абезгауз И. Д., Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением, М., 1970; Полупроводниковые приборы и их применение. Сб. ст., под ред. Я. А. Федотова, в. 19, М., 1968; то же, в. 25, М., 1971; Стафеев В. И., Модуляция длины диффузионного смещения как новый принцип действия полупроводниковых приборов, "физика твердого тела", 1959, т. 1, в. 6; Волков А. Ф., Коган Ш. М., Физические явления в полупроводниках с отрицательной дифференциальной проводимостью, "Успехи физических наук", 1968, т. 96, в. 1.

Г. М. Авакьянц.

Рис. к ст. S-приборы.

S-приборы         
S-приборы — полупроводниковые приборы, на ВАХ которых имеются один или более S-образных участков (что доказывает, что у прибора отрицательное дифференциальное сопротивление).
R&S Records         
R&S Records — независимый бельгийский лейбл-гигант, один из первых лейблов в Европе, который ориентирован на самый разнообразный пласт современной электронной музыки.

Википедия

S-приборы

S-приборы — полупроводниковые приборы, на ВАХ которых имеются один или более S-образных участков (что доказывает, что у прибора отрицательное дифференциальное сопротивление).

Нелинейные ВАХ полупроводниковых приборов могут быть похожи:

  • на букву «N» (кривые с N‑образной формой) (туннельный диод, ганна диод);
  • на букву «S» (кривые с S‑образной формой).

К S‑приборам относят:

  • кристадин (первый S‑прибор);
  • приборы, в которых чередуются четыре слоя проводников с разными проводимостями (например, тетристор, тиристор);
  • однопереходный транзистор (или двухбазовый диод).

При определённых условиях кривая ВАХ принимает S‑образную форму также у лавинных транзисторов, ганна диодов и лавинно-инжекционных полупроводниковых диодов.